电流传感器AN1V

AN1V PB20 文档编号: 1800 00000191 04/21/2023 www.chipsensor.cn芯森为了提高产品质量，保留随时更新产品的权利，恕不提前通知。天津市宝坻区京津中关村科技城协同大厦9层 1 /13 电流传感器 产品型号： AN1V 12PB20  AN1V 15 PB20  AN1V 25PB20  AN1V 35 PB20  AN1V 50PB20 AN1V 65 PB20 AN1V 100 PB20AN1V 150 PB20 AN1V 200 PB20 AN1V300 PB20本传感器的原边与副边之间是绝缘的，用于测量直流、交流和脉冲电流...特性  基于霍尔原理的开环电流传感器 AISC技术 保持与电源变化的成比例输出（包括零点和增益） 原边和副边之间绝缘  原材料符合UL94-V0  没有插入损耗 体积小  执行标准:  EN50178: 1997 IEC 61010-1: 2000 UL 508: 2010 应用领域 交流变频调速  不间断电源(UPS)  直流电机驱动的静止式变流器 开关电源 (SMPS) 电焊机电源  电池管理 风能变频器 安全使用须知 传感器使用必须遵循IEC61010-1 标准。传感器必须按照使用说明要求安放在符合应用标准和安全要求的电子或电气设备中。注意，小心电击。传感器工作时，某些部位可能会承受危险电压（如原边母排、电源），忽视这些将导致损坏和严重危险。传感器是内置式设备，在安装完毕后其导电部分一定要保证不被外界触及。必要时可加装保护壳或屏蔽罩。主电源必须能被断开。AN1V PB20文档编号: 1800 000 0019104/21/2023 www.chipsensor.cn芯森为了提高产品质量，保留随时更新产品的权利，恕不提前通知。天津市宝坻区京津中关村科技城协同大厦9层 2 /13 Zui大限值 参数 符号单位 数值 供电电压VC V 6 输出电流（输出对地短路）Iout mA 4 静电放电-接触放电VESD V 4000※ 超过以上限值使用，可能造成传感器的yongjiu损坏。※ 长时间暴露在以上限值环境中，可能会降低产品的可靠性。环境和产品结构特性 参数 符号单位 Zui小值 典型值 Zui大值备注 操作温度 TA℃ -40 -40 -40-40 -40 -40 -40-40 -40 -40 150150 150 150 150150 150 125 8585 AN1V 12 PB20 AN1V 15 PB20AN1V 25 PB20 AN1V 35 PB20 AN1V 50PB20 AN1V 65 PB20 AN1V 100 PB20AN1V 150 PB20 AN1V 200 PB20 AN1V300 PB20 存储温度 TS℃ -55 165 原边电阻值 RPµΩ 100 质量m g 5  标准EN 50178, IEC 61010-1, UL 508 绝缘特性参数 符号 单位 数值备注 交流隔离耐压测试有效值 @ 50Hz,1min VdkV 4.8  外壳材料- - UL94-V0 比较路经指数 CTI PLC3  应用实例 -- 450V  CATⅢ PD2 加强绝缘，参照 EN50178, EN 61010-1 标准 应用实例- - 700V CAT Ⅲ PD2基本绝缘，参照 EN 50178, EN 61010-1标准AN1V PB20 文档编号: 1800000 00191 04/21/2023www.chipsensor.cn芯森为了提高产品质量，保留随时更新产品的权利，恕不提前通知。天津市宝坻区京津中关村科技城协同大厦9层 3 /13 产品特性 AN1V 12 PB20 ※ 除非有其他说明，以下数据测试环境基于条件TA =25℃, VC= 5V, RL = 10kΩ参数 符号 单位 Zui小值典型值 Zui大值 备注 电气参数原边额定电流有效值 IPN A-12.5 12.5  原边电流Zui大值IPM A -37.537.5  供电电压VC V 4.55.0 5.5  输出电压VOUT VVOUT=VQOV+Gth◊IP◊(VC/5)零点输出电压 VQOV VVCC/2 理论增益Gth mV/A 50 电流消耗 ICmA 10 15 负载电阻RL kΩ 5 负载电容 C2nF 1 1.5 电源滤波电容 C1nF 100 性能参数增益误差 ƐG %-1 1  增益误差的温度漂移TCG % -2 2@TA=-40℃~150℃零点误差 VOE mV-20 ±5 20@VC=5V且 IP=0A零点误差的温度漂移 TCVOEmV ±20@TA=-40℃~150℃磁失调电压 VOM mV±4 @VC=5V,在±IPN后测量非线性误差 ƐL % ofIPN -1 1不包含零点 VOE 精度@ IPN X %of IPN -33@TA=-40℃~150℃上电稳定时间 tPOD µs100  跟踪时间@90%的 IPNtr µs 2.55 @C2=1nF输出带宽(-3dB) BWkHz 120@C2=1nF 输出噪声Vno mV 12@C2=1nF AN1VPB20 文档编号: 1800 000 0019104/21/2023 www.chipsensor.cn芯森为了提高产品质量，保留随时更新产品的权利，恕不提前通知。天津市宝坻区京津中关村科技城协同大厦9层 4 /13 产品特性 AN1V 15 PB20 ※除非有其他说明，以下数据测试环境基于条件TA= 25℃,VC = 5V,RL = 10kΩ 参数符号 单位 Zui小值 典型值Zui大值 备注 电气参数原边额定电流有效值 IPN A-15 15 供电电压VC V 4.55.0 5.5  输出电压VOUT VVOUT=VQOV+Gth◊IP◊(VC/5)零点输出电压 VQOV VVCC/2 理论增益Gth mV/A 90电流消耗 IC mA11 15 负载电阻RL kΩ 5 负载电容 C2nF 1 1.5 电源滤波电容 C1nF 100 性能参数增益误差 ƐG %-1 1  增益误差的温度漂移TCG % -2 2@TA=-40℃~150℃零点误差 VOE mV-20 ±5 20@VC=5V且 IP=0A零点误差的温度漂移 TCVOEmV ±20@TA=-40℃~150℃磁失调电压 VOM mV±4 @VC=5V,在±IPN后测量非线性误差 ƐL % ofIPN -1 1不包含零点 VOE 精度@ IPN X %of IPN -33@TA=-40℃~150℃上电稳定时间 tPOD µs100  跟踪时间@90%的 IPNtr µs 2.55 @C2=1nF输出带宽(-3dB) BWkHz 120@C2=1nF 输出噪声Vno mV 12@C2=1nFAN1VPB20 文档编号: 1800 000 0019104/21/2023 www.chipsensor.cn芯森为了提高产品质量，保留随时更新产品的权利，恕不提前通知。天津市宝坻区京津中关村科技城协同大厦9层 5 /13 产品特性 AN1V 25 PB20 ※除非有其他说明，以下数据测试环境基于条件TA= 25℃,VC = 5V,RL = 10kΩ 参数符号 单位 Zui小值 典型值Zui大值 备注 电气参数原边额定电流有效值 IPN A-25 25 原边电流Zui大值IPM A -7575 供电电压 VCV 4.5 5.0 5.5 输出电压 VOUTV VOUT=VQOV+Gth◊IP◊(VC/5)零点输出电压 VQOV VVCC/2 理论增益Gth mV/A 25 电流消耗 ICmA 10 15 负载电阻RL kΩ 5 负载电容 C2nF 1 1.5 电源滤波电容 C1µF 100 性能参数增益误差 ƐG %-1 1  增益误差的温度漂移TCG % -2 2@TA=-40℃~150℃零点误差 VOE mV-20 ±5 20@VC=5V且 IP=0A零点误差的温度漂移 TCVOEmV ±20@TA=-40℃~150℃磁失调电压 VOM mV±4 @VC=5V,在±IPN后测量非线性误差 ƐL % ofIPN -1 1不包含零点 VOE 精度@ IPN X %of IPN -33@TA=-40℃~150℃上电稳定时间 tPOD µs100  跟踪时间@90%的 IPNtr µs 2.55 @C2=1nF输出带宽(-3dB) BWkHz 120@C2=1nF 输出噪声Vno mV 8@C2=1nF   AN1VPB20 文档编号: 1800 000 0019104/21/2023 www.chipsensor.cn芯森为了提高产品质量，保留随时更新产品的权利，恕不提前通知。天津市宝坻区京津中关村科技城协同大厦9层 6 /13 产品特性 AN1V 35 PB20 ※除非有其他说明，以下数据测试环境基于条件TA= 25℃,VC = 5V,RL = 10kΩ 参数符号 单位 Zui小值 典型值Zui大值 备注 电气参数原边额定电流有效值 IPN A-35 35 供电电压VC V 4.55.0 5.5  输出电压VOUT VVOUT=VQOV+Gth◊IP◊(VC/5)零点输出电压 VQOV VVCC/2 理论增益Gth mV/A 38.5电流消耗 IC mA11 15 负载电阻RL kΩ 5 负载电容 C2nF 1 1.5 电源滤波电容 C1nF 100 性能参数增益误差 ƐG %-1 1  增益误差的温度漂移TCG % -2 2@TA=-40℃~150℃零点误差 VOE mV-20 ±5 20@VC=5V且 IP=0A零点误差的温度漂移 TCVOEmV ±20@TA=-40℃~150℃磁失调电压 VOM mV±4 @VC=5V,在±IPN后测量非线性误差 ƐL % ofIPN -1 1不包含零点 VOE 精度@ IPN X %of IPN -33@TA=-40℃~150℃上电稳定时间 tPOD µs100  跟踪时间@90%的 IPNtr µs 2.55 @C2=1nF输出带宽(-3dB) BWkHz 120@C2=1nF 输出噪声 Vno mV8 @C2=1nF   AN1V PB20 文档编号: 1800000 00191 04/21/2023www.chipsensor.cn芯森为了提高产品质量，保留随时更新产品的权利，恕不提前通知。天津市宝坻区京津中关村科技城协同大厦9层 7 /13 产品特性 AN1V 50 PB20 ※除非有其他说明，以下数据测试环境基于条件TA= 25℃,VC = 5V,RL = 10kΩ 参数符号 单位 Zui小值 典型值Zui大值 备注 电气参数原边额定电流有效值 IPN A-50 50 供电电压VC V 4.55.0 5.5  输出电压VOUT VVOUT=VQOV+Gth◊IP◊(VC/5)零点输出电压 VQOV VVCC/2 理论增益Gth mV/A 40电流消耗 IC mA11 15 负载电阻RL kΩ 5 负载电容 C2nF 1 1.5 电源滤波电容 C1nF 100 性能参数增益误差 ƐG %-1 1  增益误差的温度漂移TCG % -1 1@TA=-40℃~150℃