一般说明
AO4302结合了先进的沟槽MOSFET
技术采用低阻抗封装提供
极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关
和电池保护应用。
产品摘要 AO4302
VDS 30V
ID（VGS = 10V）23A
RDS（ON）（VGS = 10V）<4mΩ
RDS（ON）（VGS = 4.5V）<5mΩ
ESD保护
100％UIS经过测试
100％Rg测试
AO4302
A.使用安装在1in2 FR-4板上的器件和2oz测量RθJA的值。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该
任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。
B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s结至环境热阻。
C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ（MAX）= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持
initialTJ = 25°C。
D.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。
E.使用<300μs脉冲，占空比0.5％获得图1至图6中的静态特性。
F.这些曲线基于结至环境的热阻抗，该阻抗是通过安装在1in2 FR-4板上的器件测得的。
2盎司铜，假设结温TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲线提供单脉冲额定值。
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）23A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）4 毫欧 @20A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）63nC @10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）3470pF @ 15VFET功能-功率耗散（值）3.6W（Ta）工作温度-55°C ~150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
深圳市九亨电子有限公司自成立以来，本着诚信原则，以顾客至上，互利互惠的经营理念，立足深圳，面向国际市场，赢得广大客户一致的信赖和好评。公司主要代理AOS美国万代，主要提供功率MOSFET，电源IC和瞬态电压抑制器TVS，以满足当今先进的电子系统和消费类电子对于电源的复杂的要求。我们相信，一个成熟的现代企业拥有的不仅仅是高质的产品，公司以科学现代的管理，充分利用高科技术的发展，将“顾客至上，互利互惠“的理念贯穿于产品销售、服务的始终。欢迎广大客户来电咨询！
