光刻胶
在曝光过程中，金属光刻胶报价，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，正向光刻胶报价，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影，负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。
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光刻胶的应用
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模拟半导体（AnalogSemiconductors）发光二极管（Light-Emitting DiodesLEDs）微机电系统（Microelectromechanical Systems MEMS）太阳能光伏（SolarPhotovoltaics PV）微流道和生物芯片（Microfluidics &Biochips）光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封装（Packaging）
光刻胶简介
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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，透明光刻胶报价，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。 [1] 光刻胶是一种有机化合物，光刻胶报价，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。
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