MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
发热情况有：
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，2090mos公司，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，2090mos厂家，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
怎么选场效应管？
决议采纳N沟道还是P沟道MOS管。正在垂范的功率使用中，当一度MOS管接地，而负载联接到支线电压上时，该MOS管就构
成了高压侧电门。正在高压侧电门中，应采纳N沟道MOS管，这是出于对于开放或者导通机件所需电压的思忖。当MOS管联接到总线及负载接地时，就要用低压侧开关。一般会正在某个拓扑中采纳P沟道MOS管，苏州2090mos，这也是出于对于电压驱动的思忖。
肯定所需的额外电压，或者许机件所能接受的电压。额外电压越大，机件利润就越高。依据理论经历，额外电压该当大于支线电压或者总线电压。那样能力需要剩余的掩护，使MOS管没有会生效。就取舍MOS管而言，必需肯定漏极i至源极间能够接受的电压，即VDS。晓得MOS管能接受的电压会随量度而变迁这点非常主要。咱们须正在整个任务量度范畴内测试电压的变迁范畴。额外
电压必需有剩余的余量遮盖某个变迁范畴，2090mos价格，确保通路没有会生效。需求思忖的其余保险要素囊括由电门电子设施（如发电机或者变压器）诱发的电压瞬变。没有同使用的额外电压也有所没有同；一般，便携式设施为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC使用为450～600V。KIA半超导体设想的MOS管耐压威力强，使用畛域广，深受辽阔存户青眼。
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