在当今快速发展的电子领域，高效、稳定的功率芯片供应至关重要。德瑞泰电子为满足市场需求，强势推出第一代平台氮化镓 GaN功率 mos 管芯片。 这款氮化镓功率 mos 管采用 D-Mode工艺，工艺简单却有着诸多显著优势。其可靠性极高，在各种复杂的工作环境下都能稳定运行，为用户提供长久的使用保障。高良率也确保了大规模生产的可行性，满足不同规模客户的需求。该芯片具有二维电子气浓度高的特点，使得方阻低，大大提升了导电性能。Cascode Vth 约为 3V，Vgs耐压达到±20V，为设备的安全运行提供了坚实的基础。动态电阻小，小于 1.1，能够有效降低功率损耗，提高能源利用效率。在驱动方面，它简单便捷，兼容传统 Si MOS，极大地方便了用户在现有系统中的升级和替换。Vsd 小于2V，在应用中死区损耗小，优化了性能表现。其封装难度相对复杂，这也体现了德瑞泰电子在技术研发和工艺创新方面的挑战与突破。无论是 65W、100W、240W 还是 600W 的应用场景，这款氮化镓 GaN 功率 mos管芯片都能发挥出色的性能。德瑞泰电子以专业的技术实力和优质的服务，为电子行业的发展注入新的活力，成为客户值得xinlai的合作伙伴。
