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三星电子和英特尔等半导体公司正在研究定向自组装 (DSA) 技术，以补偿极紫外 (EUV)工艺过程中出现的图案错误。DSA是下一代图案化技术之一，这一技术有望补充 EUV过程中出现的随机误差。随机是指随机且非重复的图案错误，已知占 EUV 图案错误的 50%。业界预测，DSA技术将从使用High-NAEUV的1.4nm工艺和10nm以下的DRAM工艺开始正式引入。英特尔代工旗下逻辑技术开发部门光刻、硬件和解决方案主管MarkPhilip日前表示，“使用 DSA（高数值孔径 EUV）的研究正在进行中，通过应用DSA，我们正在改进模式粗糙度（LER）。”英特尔在近期的中表示，其将 DSA 技术应用于 18nm 以下工艺，并成功纠正了 EUV图案中发生的随机误差。
P柱接随仪表配来的20m纯铜导线，导线另一端接插针。C柱接随仪表配来的40m纯铜导线，导线的另一端接插针2。接地电阻测试仪设置的技术要求接地电阻测试仪应放置在离测试点1～3m处，放置应平稳，便于操作。每个接线头的接线柱都必须接触良好，连接牢固。两个接地极插针应设置在离待测接地体左右分别为20m和40m的位置；如果用一直、线将两插针连接，待测接地体应基本在这一直线上。不得用其他导线代替随仪表配置来的5m、20m、40m长的纯铜导线。
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