现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET，在开关电源等领域应用非常普遍，一般作为百开关管使用。实际的MOSFET有别于理想的MOSFET，栅极和源度极，源极和漏极都是存在电容的，要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。
也可以内用示波器看MOS管的波形，驱动ic，看是否工作在完全导通状态，上升和下降时间在辐射容满足要求的情况下，尽量的陡峭。
直流电机驱动芯片应该怎么选择？
目前用的的一个H桥驱动芯片zd：L928N，这个芯片是很简单，很便宜，很容易买到，一个芯片里面就集成了2路的H桥电路，还带PWM控制和电流采集。电机驱动芯片是集成有CMOS控制电路和DMOS功率器件的芯片，利用它可以与主处理回器、电机和增量型编码器构成一个答完整的运动控制系统。可以用来驱动直流电机、步进电机和继电器等感性负载。
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IGBT对驱动电路的要求：
(1)提供适当的正反向电压，使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降，但若UGE过大，则负载短路时其IC随UGE增大而增大，照明驱动ic，对其安全不利，使用中选UGEν15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，一般选UGE=-5V为宜。
(2)IGBT的开关时间应综合考虑。快速开通和关断有利于提高工作频率，减小开关损耗。但在大电感负载下，IGBT的开频率不宜过大，因为高速开断和关断会产生很高的尖峰电压，及有可能造成IGBT自身或其他元件击穿。
(3)IGBT开通后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。
(4)IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响，RG较大，有利于抑制IGBT的电流上升率及电压上升率，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗;RG较小，会引起电流上升率增大，使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT其RG值较大。
(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配，恒流驱动ic，在未采取适当的防静电措施情况下，G—E断不能开路。
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