氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比，其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
立方闪锌矿结构可由逐渐在表面生成氧化锌的方式获得。在两种晶体中，每个锌或氧原子都与相邻原子组成以其为中心的正四面体结构。八面体结构则只曾在100亿帕斯卡的高压条件下被观察到。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比，氧化锌晶体单晶，其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，氧化锌晶体单晶衬底，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，氧化锌晶体单晶厂家，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系，纤锌矿结构，点群为6mm，znO晶体中，Z离子和O离子沿c轴交替堆积，(O001)面终结于正电荷Z离子，(0001)面终结于负电荷O离子，因此，氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
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