4英寸硅基碳化硅外延片生产厂家 RF HEMT
苏州恒迈瑞材料科技公司定制生产4英寸GaNon Si硅基氮化镓外延片,尺寸为4-8英寸。硅基氮化镓外延片结构可分为D MODE/EMODE/RF 功率电子器件及射频HEMT用外延片产品,第三代半导体硅基氮化镓外延材料产品可应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。
随着外延生长设备和生长工艺水平的长足进步,人们开始将注意力转向Si硅衬底上GaN氮化镓的异质生长。Si硅衬底有价格优势,还具有导热性好,晶片尺寸大(商用级别大达到300mm)以及与现有标准Si基CMOS生产工艺兼容,从而可以大幅度降低器件制作成本,为大规模工业化量产提供了保障。从这个角度,Si硅材料是很好的异质衬底选择。