产品结构超小超薄型，采用2835外观尺寸土装，非常适用于精巧设计之电子产品。
■特征Features
响应时间快（Fastresponse times）。
高光敏性（Highphoto sensitivity）。
小结电容（Smalljunction capacitance）。
替代传统CDS光敏电阻，不含镉、铅等有害物质，符合欧盟ROHS标准。（Instead of the traditional CDSphotosensitive resistance, containcadmium, lead and hazardoussubstances, ROHScompliant）。
用于抗红外干扰类产品，控制昼夜切换，无需加套管、滤光片（Dedicatedto the anti-IR interferenceproducts, controls the switching of dayand night, without addingcasing, filters）。
■光电特性Electro-Opticalcharacteristics(Ta=25℃)
参数 Parameter | 符号Symbol | 条件Condition | 小值Min. | 中间值Typ. | 大值Max. | 单位Units |
集电极发射极击穿电压Collector-Emitter Breakdown Voltage | BVCEO | Ic=100μA Ev=0Lux | 8 | --- | V | |
发射极集电极击穿电压Emitter-Collector Breakdown Voltage | VECO | IE=100μA | 5 | |||
集电极发射极饱和电压Collector-Emitter Saturation Voltage | VCE(sta) | Ic=15mA Ev=200Lux | 1 | |||
启动延时Rise time | Tr | VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω | 4.5 | μS | ||
关闭延时Fall Time | Tf | |||||
集电极暗电流Collector DarkCurrent | ICEO | Ev=0Lux VCE=5V | 500 | nA | ||
导通状态集电极电流On StateCollector Current | IC(on) | Ev=10Lux VCE=5v | 10 | μA | ||
Ev=20Lux | 20 | |||||
峰值灵敏度的波长Wavelength of PeakSensitivity | λρ | --- | 520 | nm | ||
光谱带宽范围Rang ofSpectral Bandwidth | λ0.5 | 400 | 700 |
