作为一家激光切割碳化硅晶锭供应商，我们以生产满足客户需求的高品质碳化硅晶锭包括4英寸6英寸8英寸碳化硅晶锭，涵盖测试级与产品级SiC晶锭，广泛应用于碳化硅研磨测试，抛光测试，水导激光切割等。导电N型碳化硅晶锭与半绝缘型碳化硅晶锭均可生长供应，价格优惠长期稳定供货。
碳化硅按衬底制备方式以及面向的下游应用分可为两种类型。一种是通过生长碳化硅同质外延，下游用于新能源汽车、光伏、工控、轨交等功率领域的导电型衬底， 外延层上制造各类功率器件；另一种是通过生长氮化镓异质外延，下游应用于5G通 讯等射频领域的半绝缘型衬底，主要用于制造氮化镓射频器件。
品名: 碳化硅晶锭
电阻率: 0.015-0.028Ω·cm
直径: 100mm 150mm 200mm
晶向: 4° Toward <11-20> ± 0.5º
掺杂: N-typeNitrogen
厚度: ≥15mm
产品包装:
SiC晶锭将被安全地包装在一个单个晶圆盒中，以防止在运输过程中损坏。
在纸箱中，还将用泡沫包装缓冲，以确保额外的保护。
SiC碳化硅晶锭还将附带一个标签，显示产品名称和任何必要的信息。
