技术参数
三线制
型号 | 行程 (mm) | 灵敏度 (mV/v/mm) | 传感器长度 (L)mm | F |
TD-1-100-3 | 0-100 | 2.8 | 216 | 33.5 |
TD-1-150-3 | 0-150 | 2.0 | 262 | 33.5 |
TD-1-200-3 | 0-200 | 1.5 | 312 | 33.5 |
TD-1-250-3 | 0-250 | 1.2 | 363 | 33.5 |
TD-1-300-3 | 0-300 | 0.7 | 473 | 33.5 |
注:当激励电压为10Vrms,激励频率为1.3KHz下测得的灵敏度值
六线制
型号 | 行经(mm) 单向 双向 | 灵敏度 (mV/v/mm) | 初级阻抗 | 传感器长度 | F
| |
TD-1-100-6 | 0-100 | ±50 | 14 | <500 | 207 | 45 |
TD-1-150-6 | 0-150 | ±75 | 10 | <500 | 308 | 45 |
TD-1-200-6 | 0-200 | ±100 | 7.5 | <500 | 405 | 55 |
TD-1-250-6 | 0-250 | ±125 | 6.5 | <500 | 500 | 55 |
TD-1-300-6 | 0-300 | ±150 | 5.5 | <500 | 600 | 55 |
注:当初级激励电压为3Vrms,激励频率为2.5KHz下测得的灵敏度值
在现代工业中,行程位移传感器扮演着至关重要的角色。它们广泛应用于各种自动化设备、机械工程以及检测系统中,帮助用户测量位置变化。这篇文章重点介绍行程位移监测仪VMS501,并说明其在工业生产中的意义和优势。
行程位移传感器定义
行程位移传感器是一种用于测量物体相对位置变化的设备。它能够跟踪物体在运动过程中的位移量,通常用于闭环控制系统、机器人应用以及各种设备的动态监测。通过的位移测量,用户能够实现对设备性能和工作状态的实时监测,提高工作效率。
VMS501行程位移监测仪概述
VMS501行程位移监测仪是业界一款便携式、性能卓越的行程位移传感器。它主要通过引入LVDT(线性可变差动变压器)技术来实现高精度的位移测量。LVDT1000则是其关键核心组件之一,具备低误差和高灵敏度的特点。在VMS501中,与TD-1等辅件配合使用,更是能大幅提升监测精度和响应速度。
工作原理
行程位移传感器的基本工作原理基于输入信号的变动。VMS501行程位移监测仪采用LVDT技术。其工作原理可以简单概括为以下几个步骤:
- 磁场原理:内部生成一个交变电磁场;
- 位移检测:当被测物体移动时,组件的线圈感应到位移变化;
- 信号转换:将位移变化转换为电信号,并通过数据处理电路输出位移值。
行程位移传感器的三个知识点
了解行程位移传感器的作用有助于更好地运用设备。以下是三个重要的知识点:
- 精度:行程位移传感器的精度取决于其设计和材料。VMS501的设计确保了在高负载条件下仍能保持高精度的测量。
- 响应时间:对于实时监测系统来说,快速的响应时间至关重要。VMS501经过优化,可以在毫秒级别内响应变化。
- 环境适应性:youxiu的行程位移传感器应具备良好的环境适应性。VMS501通过严密的材料选择和设计,实现了在恶劣环境下的可靠工作。
实际用途
行程位移监测仪VMS501有着广泛的实际应用,包括但不限于:
- 自动化生产线:用于实时检测产品的位移,以确保每个环节的精准控制;
- 机器人技术:位移传感器能够使机器人在复杂环境中进行精准定位;
- 车辆制造:帮助检测和控制车辆各部件的位移,提高生产效率和产品质量。
应用范围
VMS501行程位移监测仪的应用范围非常广泛,包括以下领域:
- 制造业:在生产现场用于自动化设备的位移监测;
- 航空航天:确保飞行器部件的定位;
- 机械工程:支持各类机械设备的规范运动;
- 医疗设备:用于精密医疗仪器的位移传感。
使用条件
在使用VMS501行程位移监测仪时,需要遵循一定的使用条件,以确保其zuijia性能:
- 环境温度应在设备的工作温度范围内;
- 避免剧烈震动或冲击,以减小对传感器的影响;
- 确保电源和信号线的稳定,以保证数据传输的可靠性;
- 对表面进行适度保护,避免碰撞或磨损。
结论
行程位移传感器VMS501不仅具有高精度和fast响应速度,也具备广泛的应用前景。通过合理的使用条件和维护,可以得到更高的测量精度和工作效率。对于工业用户而言,选择行程位移监测仪,创造高效、的工作环境是提升生产力的重要利器。
看完本文,相信您对行程位移传感器以及VMS501行程位移监测仪有了更深入的了解。如果您对这些产品有所需求,欢迎联系有实力的厂家进行咨询或订购,助力您的生产与研发工作。
技术参数
三线制
型号 | 行程 (mm) | 灵敏度 (mV/v/mm) | 传感器长度 (L)mm | F |
TD-1-100-3 | 0-100 | 2.8 | 216 | 33.5 |
TD-1-150-3 | 0-150 | 2.0 | 262 | 33.5 |
TD-1-200-3 | 0-200 | 1.5 | 312 | 33.5 |
TD-1-250-3 | 0-250 | 1.2 | 363 | 33.5 |
TD-1-300-3 | 0-300 | 0.7 | 473 | 33.5 |
注:当激励电压为10Vrms,激励频率为1.3KHz下测得的灵敏度值
六线制
型号 | 行经(mm) 单向 双向 | 灵敏度 (mV/v/mm) | 初级阻抗 | 传感器长度 | F
| |
TD-1-100-6 | 0-100 | ±50 | 14 | <500 | 207 | 45 |
TD-1-150-6 | 0-150 | ±75 | 10 | <500 | 308 | 45 |
TD-1-200-6 | 0-200 | ±100 | 7.5 | <500 | 405 | 55 |
TD-1-250-6 | 0-250 | ±125 | 6.5 | <500 | 500 | 55 |
TD-1-300-6 | 0-300 | ±150 | 5.5 | <500 | 600 | 55 |
注:当初级激励电压为3Vrms,激励频率为2.5KHz下测得的灵敏度值