型号：IRF7606TR
类别：分立半导体产品
产品族：晶体管-FET MOSFET 单
系列 HEXFET
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压：30V
电流 连续漏极（25°C 时） ：3.6A（Ta）
驱动电压：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：90 毫欧 2.4A 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）：1V 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷：30nC 10V
Vgs：±20V
不同 Vds 时的输入电容：520pF 25V
功率耗散：1.8W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：Micro8
封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
我司主营 集成电路IC 光耦 内存芯片 二三极管 等原装元器件
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