气压氮化硅陶瓷块棒销焊接夹具定位耐磨耐高温

气压氮化硅陶瓷简介：氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤，陶瓷原料以重量百分比计，包括如下组分：Si3N4：80-90％，Y2O3：6-14％，α相Al2O3：1-5％，WC：1-5％，TiC：1-5％。该制备方法步骤简单、方便易行，制备工艺稳定，生产效率高，利用该方法制备的结构件陶瓷的硬度大、强度高，并且具有较高的耐高温性能、耐高电压冲击性能以及耐弯曲性能，可广泛用于材料要求高的领域。气压烧结法（GPS) 近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度>99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视.气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近Zui终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用.其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。 氮化硅陶瓷的特点： 1、硬度高，耐磨性好,热导率小，化学稳定性好、耐腐蚀性高2、高耐火性Zui高熔点1900℃ 3、良好的化学稳定性高温时能抗酸性腐蚀 4、强度大，耐磨，化学稳定性好，生物相容性好，密度高5、是一种耐高温、耐磨损、耐腐蚀的无机非金属材料，熔点高达摄氏度，是自然界中耐火性能的材料之一 气压烧结氮化硅陶瓷性能参数：颜色：浅灰色 室温抗折强度：800-900Mpa。 室温断裂韧性：6.0-7.0Mpa.m1/2体积密度:3.20-3.25g/cm3 室温体积电阻率:1014Ω.cm 室温相对折电常数:6-7MHZ。热导率:20-25W.(M.K)-1 热澎涨系数:3.1×10-6/℃ 硬度: HRA 92-94