| 数据列表 | SI9945BDY; |
|---|---|
| 标准包装 | 2,500 |
| 包装 | 标准卷带 |
| 零件状态 | 有源 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管- FET，MOSFET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 类型 | 2N-通道（双） |
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
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| 漏源电压（Vdss） | 60V |
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| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5.3A |
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值） | 58毫欧 @ 4.3A，10V |
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| 不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值） | 3V@ 250µA |
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| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值） | 20nC @ 10V |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值） | 665pF @ 15V |
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| 功率 - Zui大值 | 3.1W |
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| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
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| 安装类型 | 表面贴装型 |
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| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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| 供应商器件封装 | 8-SO |
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可代替已停产的SI9945AEY
