PL1167电源管理IC PL1167 ASEMI

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PL3331副边导通时，电流流过功率 MOS 的体二极管，PL1167，当芯片检测到功率 MOS 漏极与源极压差小于VON_TH 时，PL1167电源IC厂家，芯片经过时间 T DON 开启功率 MOS。V ON_TH 和 T DON的典型值分别为-200mV 和 80ns。

PL3331当流经功率 MOS 的电流逐渐下降，直到 MOS 漏极与源极的压差超过 V OFF_TH 时，芯片经过时间 TDOFF开启功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分别为-12mV 和 50ns。

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PL3378 内置了多种保护功能，包括：逐周期限流保 护，VDD 过压/欠压保护，输出开/短路保护，过温 保护等。 当PL3378 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON)，芯片将 不工作，会进入重启状态。

内置输出线补偿用来得到更好的负载调整率。 在没有输出线补偿时，线电阻引入压差造成空载和满载时输出端电压不同。为提高负载调节率，芯片 在 FB 电阻上增加一个偏置电流，PL1167监控IC，并通过功率管关断时间大小调整此偏压大小，从而令输出电压在不 同负载状态时可保持恒定。 不同的应用中，通过调节连接于 FB 端的分压电阻可得到不同的线补偿量，FB 端的分压电阻越大，那 么补偿量也越大。

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PL3394AE是一系列低成本的电流模 PWM控制芯片，PL1167电源管理IC，其优异的性能可满足小功率开关电源的低功耗要求。芯片的启动电流典型值仅 5uA，可减小启动电路损耗；而较低的工作电流 也可以提高系统的效率；芯片内置的“无噪音绿色模式”同样能够提高系统的效率，这种绿色模 式能使开关电源满足严格的能源损耗要求

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