村田贴片电容分销货源充足

去耦电容在集成电路芯片开关电源和地中间的有两个作用：一方面是本集成电路芯片的储能电容器，另一方面旁通掉该元器件的高频率噪音。数字电路设计中典型性的去耦电容值是0.1μF。这一电容器的遍布电感器的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的遍布电感器，它的并行处理固有频率大概在7MHz上下，针对10MHz下列的噪音有不错的去耦实际效果，对40MHz之上的噪音基本上失灵。1μF、10μF的电容器，并行处理固有频率在20MHz之上，除去高频率噪音的实际效果好些一些。每10片上下集成电路芯片得加一片蓄电池充电电容器，或一个储能电容器，可选10μF上下。蕞好无需电解电容器，电解电容器是双层塑料薄膜卷起来的，这类卷起来的构造在高频率时主要表现为电感器。要应用贴片电解电容或聚碳酸电容器。去耦电容的采用并不严苛，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。