| FET 类型 | N通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） | 15毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） | 30nC @ 10V |
| Vgs（大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） | 1340pF @ 30V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（大值） | 3.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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