H9HCNNNBKUMLHR-NMO,1GX16 LPDDR4

2022-11-28 11:34 121.35.188.202 6次
发布企业
深圳市赛贝亚科技有限公司商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
6
主体名称:
深圳市赛贝亚科技有限公司
组织机构代码:
91440300MA5DCFEH2J
报价
人民币¥1.00元每个
品牌:
SK HYNIX/海力士
脚位/封装:
FBGA-200
温度规格:
-40°C~+105°C
关键词
H9HCNNNBKUMLHR-NMO,1GX16 LPDDR4
所在地
深圳市福田区沙嘴路红树湾壹号A座1010
联系电话
0755-83203039
手机
13928463400
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产品详细介绍

H9HCNNNBKUMLHR-NMO

产品概述

QQ截图20221128113027.png

型号H9HCNNNBKUMLHR-NMO

厂牌SKHYNIX/海力士

IC 类别LPDDR4SDRAM

IC代码1GX16LPDDR4

产品详情

脚位/封装FBGA-200

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.1V

温度规格-40°C~+105°C

速度1866MHz

H54G66AYZVX106 8GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 556Ball  H54G66AYZQX106 8GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 556Ball  H54G66BYYVX104 8GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G66BYYPX104 8GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G66BYYQX104 8GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G56BYYQX089 4GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 556Ball  H54G56BYYPX089 4GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G56BYYVX089 4GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H9HCNNNCPMMLHR-NMO 4GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 3733Mbps 200Ball  H9HCNNNCPMMLHR-NMN 4GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 3733Mbps 200Ball  H54G46BYYQX085 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G46BYYVX085 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G46BYYPX085 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H9HCNNNBKMMLHR-NMO 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 3733Mbps 200Ball  H9HCNNNBKMMLHR-NMN 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 3733Mbps 200Ball  H54G38AYRPX264 1GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G36AYRPX246 1GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G36AYRQX246 1GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G38AYRVX264 1GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G36AYRVX246 1GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G38AYRQX264 1GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G26AYRPX066 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G26AYRVX066 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H54G26AYRQX066 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball  H9HCNNN4KMMLHR-NMP 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 3733Mbps 200Ball  H9HCNNN4KMMLHR-NMO 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 3733Mbps 200Ball  H9HCNNN4KMMLHR-NMN 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 3733Mbps 200Ball       H54G56BYYQX046 4GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps200Ball   H54G56BYYVX046 4GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps200Ball   H54G56BYYPX046 4GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps200Ball   H9HCNNNCPUMLHR-NMN 4GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNNCPUMLHR-NMO 4GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H54G46BYYVX053 2GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps200Ball   H54G46BYYPX053 2GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps200Ball   H54G46BYYQX053 2GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps200Ball   H9HCNNNBPUMLHR-NMO 2GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNNBPUMLHR-NMN 2GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNNBKUMLHR-NMO 2GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNNBKUMLHR-NMN 2GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNN8KUMLHR-NMN 1GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNN8KUMLHR-NMO 1GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNN4KUMLHR-NMO 0.5GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNN4KUMLHR-NMP 0.5GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball   H9HCNNN4KUMLHR-NMN 0.5GB 1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps200Ball        H9HCNNNCPUMLXR-NEE 4GB 1.8V /1.1V / 1.1V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNCPUMLXR-NEI 4GB 1.8V /1.1V / 1.1V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNCPUMLHR-NME 4GB 1.8V /1.1V / 1.1V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNNBKUMLXR-NEI 2GB 1.8V /1.1V / 1.1V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNBKUMLXR-NEE 2GB 1.8V /1.1V / 1.1V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNBKUMLHR-NME 2GB 1.8V /1.1V / 1.1V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNNBKUMLHR-NMI 2GB 1.8V /1.1V / 1.1V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNNBPUMLHR-NME 2GB 1.8V /1.1V / 1.1V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNNBPUMLHR-NMI 2GB 1.8V /1.1V / 1.1V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNNBPUMLHR-NLE 2GB 1.8V /1.1V / 1.1V 3200Mbps 200Ball   H54G36AYRBX257 1GB 1.8V / 1.1V/ 0.6V 4266Mbps 200Ball   H54G36AYRJX246 1GB 1.8V / 1.1V /0.6V 4266Mbps 200Ball   H54G38AYRBX259 1GB 1.8V / 1.1V / 0.6V4266Mbps 200Ball   H9HCNNN8KUMLHR-NME 1GB 1.8V / 1.1V / 1.1V3733Mbps 200Ball   H9HCNNN8KUMLHR-NMI 1GB 1.8V / 1.1V / 1.1V3733Mbps 200Ball   H54G26AYRBX256 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V4266Mbps 200Ball   H9HCNNN4KUMLHR-NMI 0.5GB 1.8V / 1.1V / 1.1V3733Mbps 200Ball   H9HCNNN4KUMLHR-NME 0.5GB 1.8V / 1.1V / 1.1V3733Mbps 200Ball        H54G66BYYJX104 8GB 1.8V/ 1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNFAMMLXR-NEI 8GB 1.8V /1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNFAMMLXR-NEE 8GB 1.8V /1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNCPMMLXR-NEE 4GB 1.8V /1.1V / 0.6V 4266Mbps 200Ball   H54G56BYYJX089 4GB 1.8V / 1.1V/ 0.6V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNCPMMLXR-NEI 4GB 1.8V / 1.1V /0.6V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNCPMMLHR-NMI 4GB 1.8V / 1.1V /0.6V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNNCPMMLHR-NME 4GB 1.8V / 1.1V /0.6V 3733Mbps 200Ball   H54G46BYYJX085 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V4266Mbps 200Ball   H9HCNNNBKMMLXR-NEI 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V4266Mbps 200Ball   H9HCNNNBKMMLXR-NEE 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V4266Mbps 200Ball   H9HCNNNBKMMLHR-NME 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V3733Mbps 200Ball   H9HCNNNBKMMLHR-NMI 2GB 1.8V / 1.1V / 0.6V3733Mbps 200Ball   H9HCNNN4KMMLHR-NME 0.5GB 1.8V / 1.1V / 0.6V3733Mbps 200Ball        H9HCNNNCPUMLXR-NEE 4GB1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNBKUMLXR-NEE 2GB1.8V / 1.1V / 1.1V 4266Mbps 200Ball   H9HCNNNBPUMLHR-NME 2GB1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNNBPUMLHR-NLE 2GB1.8V / 1.1V / 1.1V 3200Mbps 200Ball   H9HCNNN8KUMLHR-NME 1GB1.8V / 1.1V / 1.1V 3733Mbps 200Ball   H9HCNNN8KUMLHR-NLE 1GB1.8V / 1.1V / 1.1V 3200Mbps 200Ball       H9HKNNNFBMMVAR-NEH 8GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 556Ball  H9HCNNNFBMBLPR-NEE 8GB 1.8V / 1.1V / 0.6V 4266Mbps 432Ball  H9HCNNNFBMALPR-NEE 8GB 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H9HKNNNCRMAVAR-NEH 4GB 1.8V / 1.1V / 0.6V4266Mbps 556Ball


所属分类:中国电子元件网 / 存储器
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成立日期2016年05月11日
法定代表人唐山斌
注册资本500
主营产品专营品牌:SAMSUNG,HYNIX,MICRON,XILINX包括:Nand Flash,DRAM,FPGA,LPDDR
经营范围电子产品的销售;国内贸易。(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^;
公司简介深圳市赛贝亚科技有限公司是一家代理分销电子元器件的企业。作为半导体产品的现货分销及服务提供商,代理着众多的半导体元器件品牌。目前主营品牌:SAMSUNG(三星),SKHYNIX(海力士),MICRON(镁光),XILINX(赛灵思),主营产品系列包括:NandFlash,DRAM,FPGA,LPDDR,EMMC等广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域。我们的核心 ...
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