ASEMI PL3116B手机快充芯片 手机快充芯片

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ASEMI MCU 是以1T 8051 为核心的高性能8位单片机，手机快充芯片，可运行至20Mhz，具有4K/8K/16K字节内建Flash 程序存储器、256+1K 字节的SRAM、256字节的EEPROM、4K ROM（ISP应用）等，以及GPIOs、UART、SPI、I2C、定时器、ADC、触控按键（T.K.）、温度传感器（T.S.）、DAC、运算放大器（OPA）、模拟比较器（COMP.）、PWM、PLL、看门狗、低压复位和欠压检测等功能。

关键特性：车规级（-40°-125°C）、低待机、强抗干扰、强保密（IC 卡级）。

主要应用：智能家居、小家电、智能照明、电机驱动、电动工具、触摸按键、汽车遥控、PD、QC、电池管理等。

PL3394A

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应用说明：PL3394A为小功率的适配器/充电器应用提供了有效的低成本解决方案，也能满足国际能源标准要求。

启动电流和工作电流

芯片的启动电流典型值仅5uA，可减小启动电路损耗；正常工作模式下典型工作电流也仅 1.2mA，可以提高系统的效率；在绿色工作模式下，芯片典型工作电流仅0.6mA，PL3115B手机快充芯片，在轻载下可达到较高的效率。

软启动

PL3394A内部集成软启动电路，典型启动时间为4ms。系统上电后，当 VDD 达到 VDD_ON，芯片开始工作，CS端峰值电压会逐步增加，从而缓解外部元件在芯片启动过程中的电压应力。芯片每次重启都伴随软启动。

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PL3369 内置了多种保护功能，包括：逐周期限流保护，VDD过压/欠压保护，输出开/短路保护，过温保护等。当PL3369B 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON)，芯片将不工作，会进入重启状态。

在不同的应用中，PL116A手机快充芯片，CS端不同的采样电阻会得到不同的恒流点。输出功率的大小可通过调节 CS端的采样电阻实现，采样电阻越大，恒流点越小，输出功率也越小。

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