手机快充芯片 ASEMI PL1167手机快充芯片

PL3115B

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PL3115B的主要特性：

内置高集成度的功率MOSFET

+/-5%恒压调节

 全电压范围内精准的恒流调节

去除光耦和次级恒流恒压控制电路

内置高精度恒流调节的线电压补偿

内置变压器电感补偿

可编程的输出线补偿

可提高效率的自适应多模式PWM/PFM控制

低启动电流

限流保护

内置前沿消隐

过压保护

良好的动态响应

欠压保护

PL3369B

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PL3369是一款原边控制，PL116A手机快充芯片，用于反激式开关电源的恒流/恒压调节器。其高度集成了功率开关，并通过去除光耦以及次级控制电路，在简化充电器/适配器等传统的恒流/恒压设计的实现了的电流和电压调节。

PL3369B的复合模式的应用使芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。满载时芯片工作在PFM模式，随着负载降低，芯片会逐渐进入到绿色模式，以提高整个系统的效率。

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PL3369B 内部集成 VDD检测电路，手机快充芯片，系统上电后，当 VDD 端电压超过芯片的阈值电压时，芯片开始工作并输出 PWM 信号，进而驱动功率 BJT管。为了防止 VDD上升过程中抖动对芯片的影响，内部设置了阈值迟滞。芯片的上升阈值和下降阈值典型值为17.5V 和 4.5V。

PL3369B具有低的启动电流，PL3115B手机快充芯片，可以采用大的启动电阻以及小的 VDD电容以降低应用中的功率损耗。

PL3369B的工作电流很低，再加上特有的复合模式控制，从而提高了系统的效率，特别是系统处于轻载条件下。

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