美国Futurrex 的 光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势：1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。属固含量（%）：31-35主要溶剂： 外观： 浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷 100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。
光刻胶分类
市场上，NR73G6000P光刻胶，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，PR11500A1光刻胶，形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，Zui后生成聚合物，光刻胶，具有形成正像的特点；②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后，发生光分解反应，可以制成正性胶；③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。
按照曝光波长分类，RD6光刻胶，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。
发展
Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史
我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的专利产品。
在晶体管(transistor) ，封装，微机电。显示器，OLEDs，波导(waveguides) ，VCSELS，
成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。我们都已经取得一系列的技术突破。
目前Futurrex有数百个专利技术在美国专利商标局备案。
Futurrex 产品目录
正性光刻胶
增强粘附性正性光刻胶
负性光刻胶
增强粘附性负性光刻胶
先进工艺负性光刻胶
用于lift-off工艺的负性光刻胶
非光刻涂层
平坦化，保护、粘接涂层
氧化硅旋涂(spin-on glas)
掺杂层旋涂
辅助化学品
边胶清洗液
显影液
去胶液
Futurrex所有光刻产品均无需加增粘剂(HMDS)
PR1 1500A1光刻胶-赛米莱德(在线咨询)-光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。北京赛米莱德贸易有限公司（www.semild.com）实力雄厚，信誉可靠，在北京 大兴区的工业制品等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将引领赛米莱德和您携手步入，共创美好未来！