为什么老化跟时间有关？
为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。前面提到的断裂的Si-H键是可以自己恢复的，基于断键的老化效应都有恢复模式。对于NBTI效应来说，数字ic设计前端流程，加反向电压就会进恢复模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入恢复模式。这两种方式都不可能长时间发生，芯片是会逐渐老化的。
为什么老化跟温度有关？
为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，Si?HSi?H键断键几率就大。
为什么加压会加速老化？
为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的恢复效应，自然老化就快了。
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IC半导体的基础知识(四)
P型半导体
在纯净的硅(或锗)晶体内掺入微量的三价元素硼(或铟)，因硼原子的外层有三个价电子，当它与周围的硅原子组成共价键结构时，会因缺少一个电子而在晶体中产生一个空穴，掺入多少三价元素的杂质原子，就会产生多少空穴。这种半导体将以空穴导电为其主要导体方式，称为空穴型半导体，简称P型半导体。必须注意的是，华为数字ic设计工资，产生空穴的并没有产生新的自由电子，但原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。
从以上分析可知，不论是N型半导体还是P型半导体，它们的导电能力是由多子的浓度决定的。可以认为，多子的浓度约等于掺杂原子的浓度，它受温度的影响很小。在一块硅片上采用不同的掺杂工艺，一边形成N型半导体，一边形成P型半导体，则在两种半导体的交界面附近形成PN结；PN结是构成各种半导体器件的基础。
1.PN结的形成
在一块硅或锗的晶片上，采取不同的掺杂工艺，分别形成N型半导体区和P型半导体区。由于N区的多数载流子为电子(即电子浓度高)，少子为空穴(空穴浓度低)，而P区正多数载流子为空穴(即空穴浓度高)，少子为电子(电子浓度低)；在P区与N区的交界面两侧，由于浓度的差别，空穴要从浓度高的P区向浓度低的N区扩散，N区的自由电子要向P区扩散，由于浓度的差别而引起的运动称为扩散运动。这样，在P区就留下了一些带负电荷的杂质离子，在N区就留下了一些带正电荷的杂质离子，从而形成一个空间电荷区。这个空间电荷区就是PN结。在空间电荷区内，只有不能移动的杂质离子而没有载流子，空间电荷区具有很高的电阻率。
随着集成电路生产工艺的迅速发展，数字ic设计类，功耗作为芯片质量的重要衡量标准引起了国内外学者越来越多的重视和研究。当晶体管的特征尺寸减小到纳米级时，其泄露电流的增加、工作频率的提高和晶体管门数的攀升极大提高了芯片的功耗。传统的基于UPF(UnifiedPower Format)的低功耗设计流程存在着效率低、可修复性差等缺点。针对以上问题，以14nm工艺下数字芯片fch_sata_t模块为例，简要介绍了全新的基于CUPF(CtantUPF)的低功耗物理设计流程，利用门控电源和多电源电压等技术对芯片进行低功耗设计。终，通过Synopsys旗下PrimetimePX提供功耗分析结果，证明了芯片功耗满足设计要求。
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