一般说明
AO4302结合了先进的沟槽MOSFET
技术采用低阻抗封装提供
极低的RDS(ON)。该器件非常适合负载开关
和电池保护应用。
产品摘要 AO4302
VDS 30V
ID(VGS = 10V)23A
RDS(ON)(VGS = 10V)<4mΩ
RDS(ON)(VGS = 4.5V)<5mΩ
ESD保护
100%UIS经过测试
100%Rg测试
AO4302
A.使用安装在1in2 FR-4板上的器件和2oz测量RθJA的值。铜,在TA = 25°C的静止空气环境中。该
任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。
B.功耗PD基于TJ(MAX)= 150°C,使用≤10s结至环境热阻。
C.重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX)= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持
initialTJ = 25°C。
D.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。
E.使用<300μs脉冲,占空比0.5%获得图1至图6中的静态特性。
F.这些曲线基于结至环境的热阻抗,该阻抗是通过安装在1in2 FR-4板上的器件测得的。
2盎司铜,假设结温TJ(MAX)= 150°C。 SOA曲线提供单脉冲额定值。
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C时)23A(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)4 毫欧 @20A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)63nC @10VVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)3470pF @ 15VFET功能-功率耗散(值)3.6W(Ta)工作温度-55°C ~150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
深圳市九亨电子有限公司自成立以来,本着诚信原则,以顾客至上,互利互惠的经营理念,立足深圳,面向国际市场,赢得广大客户一致的信赖和好评。公司主要代理AOS美国万代,主要提供功率MOSFET,电源IC和瞬态电压抑制器TVS,以满足当今先进的电子系统和消费类电子对于电源的复杂的要求。我们相信,一个成熟的现代企业拥有的不仅仅是高质的产品,公司以科学现代的管理,充分利用高科技术的发展,将“顾客至上,互利互惠“的理念贯穿于产品销售、服务的始终。欢迎广大客户来电咨询!