描述：AO4403
30V P沟道MOSFET
AO4403使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和带栅极工作电压低至2.5V。该设备适合用作负载开关或PWM应用中。
产品概要：AO4403
VDS 30V
ID（在VGS = -10V时）-6A
RDS（ON）（在VGS = -10V时）<48mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V时）<57mΩ
RDS（ON）（在VGS = -2.5V时）<80mΩ
经过100％UIS测试
已测试100％Rg
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4403
描述MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述表面贴装型-P-通道-30V-6A（Ta）-3.1W（Ta）-8-SOIC
一般信息：AO4403
数据列表AO4403;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-
其它名称785-1019-2
规格：AO4403
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）2.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）46 毫欧 @ 6.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）11.3nC @ 4.5V
Vgs（大值）±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）1128pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（大值）3.1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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