电力半导体元器件大多是以开关方式工作为主、对电能进行控制和转换的电力电子器件。如可关断晶闸管（英文缩写：GTO）、电力晶体管（GTR）、功率场效应晶体管（PowerMosfet）、绝缘棚式双极型晶体管（IGBT）、静电感应晶体管（SIT）、静电感应晶闸管（SITH）、MOS晶闸管（MCT）等。
电力半导体元器件可分为三类：双极型、单极型、混合型。
双极型器件是指器件内部的电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件。这类器件的导通电阻小于0.09Ω，导通电压降低，阻断电压高，电流容量大。常见的有GTO（可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、SITH（静电感应晶闸管）等。GTO耐压高（4500V）、电流大（5000A）。GTR具有控制方便、开关时间短、导通电压低、高频特性好等优点。SITH用棚极控制开通和关断，具有导通电阻小、导通电压低、开关速度快、功耗小、关断电流增益大等特点。
单极型器件是指内部只有主要载流子参与导电过程的半导体器件。常见产品有PowerMosfet（场效应晶体管）、SIT（静电感应晶体管）。前者为电压控制器件，具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等优点。后者是三层结构的多数载流子器件。具有输出功率大，失真小、输入阻抗高、开关特性好等优点，可工作于放大和开关两种状态。
混合型器件是双极型和单极型器件集成混合而成。它们利用耐压高、电流大、导通电压低的双极型器件（GTO、GIR等）作为输出原件，用输入阻抗高、相应速度快的单极型器件（Mosfet）作为输入级，因此具有两者的优点。典型产品有IGBT（绝缘棚式双极型晶体管）、MCT（MOS晶闸管）等
带电作业工具和空气的交界面上出现放电现象称为沿面放电。沿面放电发展成贯穿性的空气击穿称为闪络。沿面放电是一种气体放电现象，由于介质分界面上的电场强度分布不均匀，沿面闪络电压比气体或固体单独存在时的击穿电压都低。
沿面放电和固体介质表面的电场分布有很大关系。一般说来，固体介质处于电极间电场中的形式，有以下三种典型情况：
固体介质处于均匀电场中，它与气体的分界面和电力线的方向平行，如下图(a)所示。这种情况在工程上较少遇到，但实际绝缘结构中，介质处于稍不均匀电场中，它的放电现象与上述均匀电场中的情况有很多相似之处。
固体介质处于极不均匀电场中，且电场强度垂直于介质表面的分量（以下 简称垂直分量）要比平行于表面的分量大得多，如下图(b)所示。
固体介质处于极不均匀电场中，但在介质表面大部分地方（除紧靠电极的很小区域外），电场强度平行于表面的分量要比垂直分量大，如下图(c)所示。
介质在电场中的典型布置方式
这三种情况下的沿面放电现象有很大差别。带电作业过程中，常见的是第（3)种情况。下面对这种情况的放电现象原理作详细介绍。
在电气线路中，电路、电压是Zui基本的量。电路有直流和交流之分，因此电流和电压也有直流电流、交流电流和直流电压、交流电压之分。专门用于测量电流的仪表叫电流表，专门用于测量电压的仪表叫电压表。测量电流和电压应注意以下三个问题：
电流表必须与用电设备串联，电压表必须与用电设备并联；
根据被测量的大小，选择合适的量程。量程太大，测量不准确；量程太小，容易烧坏仪表。如果测量大小不能估计，可先选择Zui大量程，然后根据指针偏转的情况，适当调整至合适的量程测量。
对直流的测量要注意仪表的极性，测量直流电流，接线应使电流从表的正极流进，负极流出；测量直流电压，应使表的正极接高电位端，负极接低电位端。