在利用MP3C硬件平台的基础上搭建验证平台来实现对数字系统的验证，根据该系统的特点，完成了软硬件验证平台的构建和软件的配置。该验证系统主要是由APTIXMP3C系统、Spartan-IIE FPGA和相应的EDA软件等组成。主要对验证的整体方案以及系统各个模块的功能和实现进行了深入的分析。介绍了IC设计的流程和IC验证的重要性;并对MP3C的FPCB和FPIC等模块以及Spartan-IIE开发板的FPGA、I/O和接口等模块的性能和使用方法进行了详细说明。
然后提出了以MP3C为核心的快速数字系统验证的硬件平台实现方法，其中激励产生和数据采集观察是通过在一块评估板中来实现;在EXPLORER软件中完成整个系统的搭建、FPGA的布局布线和FPCB的编译。并且根据这一方法实现了对复杂数字系统FFT进行验证，后得出了正确的结果，证明这一方法是切实有效的。此方法能缩短IC开发周期，黄埔区数字芯片，提高IC验证的效率，电视数字芯片，对将来IC发展来说很具有实际意义。
IC产品的温馨提示
提示：湿度总是困扰在电子系统背后的一个难题。不管是在空气流通的热带区域中，还是在潮湿的区域中运输，潮湿都是显著增加电子工业开支的原因。由于潮湿敏感性元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitchdevice)和球栅阵列(BGA， ballgridarray)使得对这个失效机制的关注也增加了。基于此原因，电子制造商们必须为预防潜在灾难支付高昂的开支。
吸收到内部的潮气是半导体封装问题。当其固定到PCB板上时，回流焊快速加热将在内部形成压力。这种高速膨胀，取决于不同封装结构材料的热膨胀系数（CTE）速率不同，可能产生封装所不能承受的压力。当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，高压数字芯片，陷于塑料的表面贴装元内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。
常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、金线焊接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。在一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。尽管现在，进行回流焊操作时，在180℃~200℃时少量的湿度是可以接受的。然而，在230℃~260℃的范围中的无铅工艺里，任何湿度的存在都能够形成足够导致破坏封装的小（爆米花状）或材料分层。
必须进行明智的封装材料选择、仔细控制的组装环境和在运输中采用密封包装及放置干燥剂等措施。实际上国外经常使用装备有射频标签的湿度跟踪系统、局部控制单元和专用软件来显示封装、测试流水线、运输/操作及组装操作中的湿度控制。②THB:加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test ）
目的:评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程测试条件: 85℃，85%RH， 1.1 VCC， Staticbias
1. 数据准备。
对于 CDN 的 SiliconEnsemble而言后端设计所需的数据主要有是Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，分别以.lef、.tlf和.v的形式给出。前端的芯片设计经过综合后生成的门级网表，具有时序约束和时钟定义的脚本文件和由此产生的.gcf约束文件以及定义电源Pad的DEF（DesignExchangeFormat）文件。(对synopsys 的Astro 而言，经过综合后生成的门级网表，时序约束文件SDC是一样的，Pad的定义文件--tdf ， .tf 文件 --technology file，Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件就与FRAM， CELL view， LM view形式给出(Milkway 参考库 and DB， LIB file)
2. 布局规划。
主要是标准单元、I/OPad和宏单元的布局。I/OPad预先给出了位置，而宏单元则根据时序要求进行摆放，标准单元则是给出了一定的区域由工具自动摆放。布局规划后，芯片的大小，Core的面积，模拟芯片和数字芯片，Row的形式、电源及地线的Ring和Strip都确定下来了。如果必要在自动放置标准单元和宏单元之后，你可以先做一次PNA(powernetwork analysis）--IR drop and EM .
3. Placement -自动放置标准单元。
布局规划后，宏单元、I/OPad的位置和放置标准单元的区域都已确定，这些信息SE（SiliconEnsemble）会通过DEF文件传递给(PhysicalCompiler)，PC根据由综合给出的.DB文件获得网表和时序约束信息进行自动放置标准单元，同时进行时序检查和单元放置优化。如果你用的是PC+Astro那你可用write_milkway，read_milkway 传递数据。
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